*CCDカメラ・制御系 作業日誌

2002年7月

-> 2002年8月

* 2002.7.29
■ CCDカメラ関連
CCD実温度実験#2(CCD実温度実験の続き)の準備。 計画立て(ノートに)。
インジウム板加工、加工用治具作成。
インジウム板をアルコールに浸す。M3ねじ＋ワッシャ 4組み(CCD固定)を 超音波洗浄。
インジウム箔の扱い ■ 制御系関連
■ その他
* 2002.7.30
■ CCDカメラ関連
CCD実温度実験#2 続き。
長期トランクに入れていたCCDカメラを出す。
内部圧力 2.2 Torr。
足を4本(最外対角)取り付ける。
デュワー開封。ダミーチップとコールドプレート間に、インジウム箔を挟み、 ワッシャ付きM3ネジでダミーチップをきつく固定。
その他の部分は変更せず。

15:50 真空引き開始。下がりが遅いがまずまず引けている。
冷却は明日以降。明日一日、Moircsの温度コントローラー(Model330)を 借りられることになった。(勝野さんの許可による。)
■ 制御系関連
■ その他
モレキュラーシーブ5A(600g；丸文)を購入することに。日酸商事にfaxで発注。校費購入。
* 2002.7.31
■ CCDカメラ関連
CCD実温度実験#2 続き。
14:00ころ dewar内 5.0e-4 Torr。まずまず。
15:30-冷却開始。
コールドプレートT(A)(LIPS Cnontroller chA)、チップ側面T(B)(LIPS C chB)、 吸着材ケースT(C)(MOIRCS C chA)の3点をモニタ。
約1h20m後、5.7e-7 Torr、T(A)=252.8K、T(B)=244.5K、T(C)=183.14K。
ここで真空引き停止後も圧力上昇無し(最終的に1.5e-6 Torr程度)。吸着材の吸着効果はまだ十分ある様子。
(前回実験後、デュワーを開けずに放置し、今回実験前もほんの数十分開けただけだったためだろう。これから本番チップ封入などで長期間大気にさらされると、 飽和してしまう可能性大)
温度差ΔT=T(A)-T(B)がこの温度ですでに8Kと大きい。
約3h後、T(A)=204K、T(B)=190KでΔT=14 K。
最終的にT(A)→154K安定で、ΔT=20 K。前回の倍近い値。
インジウム箔でチップ-コールドプレート間の接触は向上しているはず。
やはりセンサー配線など他の原因？
それとも、コールドプレートに反りがあるなど、インジウム箔でも 修正できないチップ-コールドプレート接触の問題か？
解析、考察は後に。
24:30、冷却停止、実験おわり。
片付け。MOIRCS用具返却。
今日のデータ、 T(A),(B): lipsccdtemp20020731a.xy| T(C): lipsccdtemp20020731c.xy
多チャンネル温度測定や予備のことを考えると、Lakeshoreコントローラセンサー専用の 5ピンのコネクタを幾つか買っておいた方がよいだろう。
■ 制御系関連
Socketの良い教科書・情報を探す。
http://www.ueda.info.waseda.ac.jp/~toyama/network/index.html
例のプログラムもあり分かりやすそう。まずはこれを読んで見ることにする。
CCD制御ソフト-PIOボード系制御ソフト間の通信は、PIOボード系の キーボード入力相当の部分、およびソフト出力部ををネットワーク化すれば良い と考えている。
これまでは、この部分をNFSでと思っていたが、socketを理解して使えば、 もうすこし高度で信頼性のあるものにできそう。
■ その他
post 秋田谷 洋 (akitaya@astr.tohoku.ac.jp)